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5000字长文讲透,你可以这样优化SiC栅级驱动电路

对于高压开关电源应用,碳化硅或 SIC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件,能够像 IGBT 一样进行高压开关,同时开关频率等于或高于低压硅

sic 电路 vgs vdd vee 2025-09-10 09:11  5

ADIS16467精密MEMS IMU模块的概述及特性分析

ADIS16467是一种精密的微机电系统(MEMS)惯性测量单元(IMU),包括三轴陀螺仪和三轴加速度计。ADIS16467中的每个惯性传感器都与信号调节相结合,以优化动态性能。工厂校准表征了每个传感器的灵敏度、偏差、对准、线性加速度(陀螺仪偏差)和撞击点(加

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